在户外监测、国防侦察、柔性电子等关键领域,光电探测材料作为核心感知元件,其性能水平直接决定了相关设备的功能边界与应用范围。传统光电探测材料普遍存在两大技术瓶颈:一是光谱响应范围受限,仅能对某一波段的光信号实现有效探测;二是环境稳定性不足,在温度波动、湿度变化等复杂条件下性能易衰减,严重制约了其在严苛场景中的规模化应用。近期,韩国研究团队在ACSNano(2025年,第19卷)发表的研究成果,成功开发出一种可覆盖可见光至长波红外波段的全光谱光电探测材料——二维SnSe₀.₉Te₀.₁拓扑晶体绝缘体,为突破上述瓶颈提供了创新性解决方案。

制备工艺创新:一步法溶液合成策略的技术突破
传统光电探测材料的制备常面临工艺复杂、掺杂过程难控、制备周期长等问题,而该研究团队提出的一步法溶液合成策略,实现了材料制备与元素掺杂的同步完成,显著简化工艺流程并提升产品一致性,其核心步骤可分为以下三阶段:
1.前驱体薄膜制备
首先将单源前驱体Sn₃(dmamp)₄Se₄溶解于二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,配制形成均匀的前驱体溶液;随后采用旋涂技术,将该溶液均匀涂覆于经亲水处理的SiO₂/Si衬底表面,最终形成厚度均一的前驱体薄膜,为后续反应提供稳定的基底结构。
2.同步热处理与Te元素掺杂
将承载前驱体薄膜的衬底置于石英管式炉内,在300℃的氩气保护气氛下进行热处理(氩气可有效防止材料氧化)。关键创新点在于,团队在管式炉上游区域放置Te粉末,利用Te的热蒸发特性提供稳定的Te原子源,使SnSe的热分解反应与Te原子的等效替代掺杂同步发生,精准调控材料的化学组成。
3.目标材料成型
经过30分钟的热处理与掺杂过程,最终在衬底上形成二维结构的SnSe₀.₉Te₀.₁拓扑晶体绝缘体。该拓扑结构赋予材料独特的电子传输特性,为其全光谱响应能力奠定了微观结构基础。
核心性能优势:全光谱响应、高稳定性与柔性的协同突破
二维SnSe₀.₉Te₀.₁材料在光响应范围、环境适应性与机械性能方面均展现出显著优势,全面超越传统光电探测材料,具体表现如下:
1.全光谱响应特性与优异的光电性能
该材料打破传统材料的单波段探测局限,在可见光、近红外、短波红外及中波红外波段均实现有效光响应,可满足多场景下的复合光信号探测需求。从关键性能参数来看:
响应度:在1064nm波长下,响应度高达11.17A/W(响应度为表征材料将光信号转化为电信号效率的核心指标,该数值显著高于传统同类材料);
探测率:最高探测率达1.07×10¹²Jones(探测率是衡量材料识别微弱光信号能力的关键参数,此水平可满足低光强环境下的高精度探测需求)。
2.极端环境下的高稳定性
针对户外、国防等场景的温湿度波动挑战,该材料通过拓扑晶体结构与Te元素掺杂的协同作用,展现出优异的环境耐受性:
耐高温性能:在513K(约240℃)的高温环境中,材料的核心光电参数(如响应度、探测率)无明显衰减,可适应高温作业场景;
耐高湿性能:在相对湿度(RH)达90%的高湿环境下,材料性能保持稳定,解决了传统光电材料因吸湿导致性能下降的技术痛点。
3.卓越的机械柔性
随着柔性电子技术的发展,光电器件对材料的柔性要求日益提升。该材料可承受5mm弯曲半径下的万次循环弯曲测试,且弯曲后光电性能无损伤,能够适配曲面结构的器件设计,为柔性红外成像、可穿戴传感设备等新兴领域提供核心材料支撑。
规模化应用潜力:尺寸与制备效率的双重优势
材料的尺寸与制备效率是决定其工业化应用的关键因素。对比当前主流拓扑光电材料(如Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、NiBi₂Te₄等),传统材料的尺寸普遍局限于100μm量级,难以满足大面积器件的制备需求;而该研究制备的SnSe₀.₉Te₀.₁材料,最大尺寸可达6英寸,且制备周期仅需30分钟(传统材料制备常需数小时),大幅降低了规模化生产的时间成本与工艺难度。
此外,通过X射线光电子能谱(XPS)与拉曼光谱表征分析,证实了材料中Sn、Se、Te元素的均匀分布及晶体结构的完整性,从微观层面保障了材料性能的一致性与稳定性,为其工业化应用提供了技术保障。
应用场景拓展:多领域的技术赋能与价值提升
基于二维SnSe₀.₉Te₀.₁材料的全光谱响应、高稳定性与柔性特性,其在多个关键领域具有明确的应用前景:
1.红外成像领域
材料的全光谱响应能力使其可在昼夜交替、复杂气象(如雾、雨)条件下实现高清红外成像,可应用于安防监控、航空航天侦察、工业无损检测等对成像精度与环境适应性要求较高的场景。
2.人体感应监测领域
结合柔性特性与高探测率,该材料可作为可穿戴健康监测设备的核心传感元件,实时捕捉人体红外信号,辅助实现体温、呼吸频率等生理参数的精准监测,为智慧医疗领域提供技术支撑。
3.柔性电子器件领域
作为柔性光电系统的核心感知材料,其可集成于柔性显示屏、柔性传感器、可穿戴智能设备中,实现光信号的精准感知与转换,推动柔性电子设备向“多功能、高集成”方向发展。
二维SnSe₀.₉Te₀.₁拓扑晶体绝缘体的研发,不仅突破了传统光电探测材料的光谱响应局限与环境稳定性瓶颈,更通过一步法合成工艺与大尺寸制备技术,为其工业化应用奠定了基础。该材料的出现,标志着光电探测技术向“全光谱、高稳定、柔性化”方向迈出关键一步。
未来,若能进一步优化材料在长波红外波段的响应效率与稳定性,并拓展低成本量产工艺,二维SnSe₀.₉Te₀.₁材料有望在户外监测、国防安全、柔性电子、智慧医疗等领域实现广泛应用,为相关产业的技术升级提供核心材料支撑。
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